Поиск по складу

GSI Technology

GSI Technology

QUAD SRAM
DDR SRAM
DRAM с малой задержкой
Асинхронная SRAM

 

 

Сайт производителя

 

ПРОДУКТЫ

DRAM с низкой задержкой (Low Latency DRAM)

Статическая память QUAD SRAM

Статическая память с удвоенной шиной (DDR SRAM)

Статическая Память без реверсивной шины (NBT SRAM)

Синхронная Статическая Память

Асинхронная Статическая Память 

 

О КОМПАНИИ

GSI Technology основана в 1995 году в Купертино (США, Калифорния). Компания разрабатывает только высокопроизводительную память большого объема с высокой скоростью случайного доступа к ячейкам, низкой задержкой, широкой полосой пропускания и низким потреблением. Благодаря очень длительному жизненному циклу производства, высокому качеству и производительности, продукция компании очень востребована в таких применениях, как сетевое оборудование, медицинские, промышленные, автомобильные системы.

GSI Technology предлагает как статическую память со случайным доступом (SRAM), так и динамическую память с малыми задержками (LLDRAM). Статическая память выполнена на базе малопотребляющего технологического процесса CMOS с размером транзистора от 25 нм до 65 нм. Динамическая память с малым доступом базируется на процессе DRAM 72 нм. Многие продукты GSI были разработаны с учетом требований, которые предъявляются к памяти для совместного использования с ПЛИС и специализированными процессорами.  

СДЕЛАТЬ ЗАПРОС